دی الکتریک همسانگرد

نیترید سیلیکون رسوب شده توسط LPCVD حاوی حداکثر 8 درصد هیدروژن است. همچنین تنش کششی شدیدی را تجربه می‌کند که ممکن است باعث ضخامت فیلم‌های ضخیم تر از 200 شود نانومتر با این حال، مقاومت و مقاومت دی الکتریک بالاتری نسبت به بسیاری از عایق‌های معمول در تولید میکرو (10 16 Ω· سانتی متر و 10 به ترتیب MV / cm).

ظرفیت آن متناسب محصول سطح یک صفحه است که ضریب نفوذپذیری آن برابر با ضخامت دی الکتریک است.