بلور لایه

مومسانی در بلور فلز خالص، در درجه اول از دو تغییر حالت لغزشی و لایه‌ای در شبکه بلوری ناشی می‌شود. لغزش به معنی یک تغییر حالت برشی در حال حرکت اتم‌ها در فضای بین اتمی نسبت به موقعیت اولیهٔ خود می‌باشد. دوقلویی تغییر فرم مومسانی بین ۲ لایه بر اساس یک سری از نیروهایی که به قطعه فلزی وارد می‌گردد است. بیشتر فلزات هنگام گرم بودن، مومسانی بیشتری نسبت به زمان سرما خواهند داشت که دلیل این امر تعداد بیشتر سیستمهای لغزش و جنبش بیشتر ذرات در دمای بالا است.

این روش با لایه نشانی معمولی لایه نازک (پا توپوتکسی) که در آن لایه‌ای از مواد آمورف یا چندبلور رشد داده می‌شوند تفاوت دارد. لایه برآرایی را می‌توان از فاز مایع یا گاز درست کرد و ساختار نهایی آن با زیر لایه یکی خواهد بود زیرا زیرلایه نقش بذر بلور را دارد.

دلیل خطر تشعشعی که برای صفحات تولید کننده وجود دارد دیگر استفاده نمی‌شود. این فسفرها برای استفاده در لایه‌های ضخیم تر از ۲۵ میلی‌گرم در سانتی‌متر مربع مناسب نیستند، زیرا خود جذب نور باعث ایجاد مشکل می‌شود. علاوه بر این، روی سولفید دچار تخریب ساختار شبکه بلوری خود می‌شود، که منجر به از دست دادن تدریجی روشنایی سریع‌تر از تخلیه رادیم می‌شود.

ریز ساختار فولاد یوتکتوئید تماماً پرلیتی است. پرلیت به صورت لایه‌های متناوبی از صفحات با موازی فریت و سمنتیت است. مقادیر نسبی فریت و سمنتیت موجود در پرلیت با استفاده از قانون اهرم به ترتیب ۸۹ درصد و ۱۱ درصد می‌باشد. پس نسبت وزنی فازها ۱ به ۸ است. چگالی فریت و سمانتیت نزدیک هم است. نسبت‌های حجمی فریت و سمانتیت موجود در پرلیت نیز تقریباً سه به یک است. از طرفی صفحات سمانتیت بسیار نازک‌تر از صفحات فریت می‌باشد. از آنجاییکه قابلیت حلالیت کربن در آستنیت نسبت به فریت بیشتر است از این رو در حین تغییرساختار بلوری از آستنیت به فریت، باید اتم‌های کربن از محلول جدا شوند. به همین دلیل اولین مرحله تغییر آستنیت رسوب اتم‌های کربن به‌صورت صفحات سمانتیت است. سپس به علت پایین آمدن مقدار کربن در مناطق مجاور صفحات سمانتیت، اتم‌های آهن به‌صورت BCC (فریت) در کنار هم قرار می‌گیرند و بدین ترتیب لایه‌های نازک فریت در دو طرف صفحات سمانتیت رشد می‌کنند. در نهایت پرلیت حاصل در زیر میکروسکوپ به صورت اثر انگشت دیده می‌شود. این واکنش معمولاً در مرز دانه‌های آستنیت شروع شده و به طرف داخل این دانه‌ها رشد می‌کنند.

در سال ۱۹۷۵گروه Lang برای اولین بار گرافیت کم لایه بر روی سطح بلور پلاتین را با استفاده از روش CVD تولید کردند. در سال ۱۹۹۹ گروه Lu با استفاده از AFM، لایه برداری مکانیکی را بر روی یک گرافیت پیرولیتی به منظور تهیه گرافن تک لایه انجام دادند. با این وجود، گرافن تک لایه برای اولین بار در سال۲۰۰۴ توسط گروه Novoselov تولید و گزارش شد.

پهنهٔ مرزی بین کریستال و حالت بخار می‌تواند از نظر ملکولی و در دماهای پایین‌تر از نقطهٔ ذوب بسیار تیز و مشخص باشد. یک سطح بلورین ایده‌آل، از گسترش تک تک لایه‌های تشکیل دهندهٔ آن یا از رشد جانبی مرحله ای پیوند بین لایه‌ها شکل می‌گیرد. برای درک محسوس میزان رشد، این مکانیزم نیازمند به یک نیروی محرکه محدود (یا درجاتی از خنک‌کنندگی شدید) برای کاهش نیروی مانع اعمال شده از سمت هسته می‌باشد تا بدین ترتیب با اعمال نوسات حرارتی، از قدرت هسته کاسته شود. در نظریهٔ شکل‌گیری کریستال ازحالت مذاب بورتون و کابر دو مکانیسم متفاوت را ارائه نمودند

اکسید آلومینیوم به عنوان دی الکتریک عمل می‌کند و همچنین آلومینیوم فلز را در برابر واکنش‌های شیمیایی مضر از الکترولیت محافظت می‌کند. با این حال، لایه تبدیل اکسید آلومینیوم معمولاً همگن نیست. این یک ورقه ورقه ساختاری چند لایه است که از اکسید آلومینیوم بلورین آمورف، بلورین و متخلخل تشکیل شده‌است که عمدتاً با قسمت‌های باقی مانده کم از هیدروکسید آلومینیوم غیرقابل انباشته شده‌است. به همین علت، در تشکیل فویل آنود، فیلم اکسید توسط یک کار شیمیایی مخصوص تشکیل شده‌است، به طوری که اکسید آمورف یا اکسید کریستالی تشکیل می‌شود. انواع مختلف اکسید آمورف باعث افزایش پایداری مکانیکی و فیزیکی و نقص‌های کمتری می‌شود، بنابراین پایداری طولانی مدت و کاهش جریان نشت را افزایش می‌دهد.

دقیق‌ترین روش رشد لایه‌های همبافته(epitaxial) روی یک بستر نیم‌رسانا برآرایی پرتو مولکولی (MBE)است. در این تکنیک، یک جریان یا پرتو از اتمها یا مولکول‌ها از یک منبع مشترک فوران می‌شود و از طریق یک خلا uum عبور می‌کند تا به یک سطح کریستال گرم شده برخورد کند و یک لایه تشکیل می‌دهد که ساختار بلوری همان لایه زیرین دارد. تغییرات MBE شامل MBE منبع اولیه، MBE منبع هیدرید، MBE منبع گاز و MBE فلزی- آلی است. رویکردهای دیگر رشد اپیتاکسیال برآرایی فاز مایع (LPE)یا رسوب بخار شیمیایی (CVD)است. روش دوم شامل هیدرید CVD، تری کلراید CVD و فلز آلی CVD است.

بلورهای مربعی یخ در دمای اتاق وقتی بین دو لایه گرافن فشرده می‌شوند تشکیل می‌شوند. این ماده فاز بلور جدیدی از یخ است که به ۱۷ مورد دیگر می‌پیوندد.

این لایه که آلیاژی متشکل از فلزهای تلوریم (Te)، سرب (Pb)، ایندیوم (In) و نقره (Ag) است، وظیفهٔ ذخیرهٔ اطلاعات را بر عهده دارد. ویژگی این لایه آن است که می‌تواند حالت بلورین منظم خود را از دست داده و مجدداً به این حالت بازگردد. این ویژگی باعث می‌شود که ما بتوانیم اطلاعات را به دفعات بر روی دیسک ذخیره کرده و آن را مجدداً پاک نماییم. البته تعداد دفعات نوشتن مجدد محدود بوده و این محدودیت برای انواع دیسکهایی که قابلیت رایت مجدد دارند، متفاوت است.