ویفر
معنی کلمه ویفر در دانشنامه عمومی
ویفر (الکترونیک). در الکترونیک، ویفر ( به انگلیسی: wafer ) که گاهی برش یا زیرلایه نیز نامیده می شود، یک برش نازک از یک نیم رسانا مانند سیلیکون بلورین است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و در فتوولتائیک برای ساخت سلول های خورشیدی کاربرد دارد. از این ویفرها در ریزابزارهای الکترونیکی به عنوان یک زیرلایه استفاده می شود به گونه ای که این ریزابزارها درون و روی ویفرها ساخته می شوند یا بسیاری فرایندهای زیرساختی مانند آلایش، کاشت یون، طرح نگاری نوری و… بر روی آن ها انجام می شود. این ویفرها سپس توسط فرایند «دای سازی ویفر» برش خورده و تراشه ها از هم جدا می شوند.
چندین گونه از سلول های خورشیدی هم از این ویفرها ساخته شده اند. در ویفرهای خورشیدی، یک سلول خورشیدی که بیشتر چهارگوش است، تمام ویفر را دربر می گیرد.
ویفرها از مواد تک - کریستالی بی اندازه خالص ( با درصد خلوص ۹۹٫۹۹۹۹۹۹۹٪ ) و تقریباً کاملا بدون نقص ساخته می شوند. یکی از فرایندهای ساخت ویفرها، فرایند چکرالسکی است که نخستین بار از سوی شیمیدان لهستانی یان چکرالسکی پیشنهاد شد. در این فرایند یک شمش کریستالی نیم رسانای تک - بلوری فوق العاده خالص، مانند سیلیکون یا ژرمانیم، که بلورین ( به انگلیسی: Boule ) نامیده می شود، با بیرون کشیدن یک بذر بلور از داخل ظرف حاوی مواد مذاب آن ماده بدست می آید. برخی اتم های ناخالصی مانند بور یا فسفر را هم می توان در اندازه های بسیار دقیق به داخل مذاب افزود تا به این ترتیب با آلایش سیلیکون، ساختار ماده را دگرگون کرد و به نیم رسانای n و نیم رسانای p رسید.
پس از آن شمش بدست آمده را با کمک ارّهٔ سیمی، برش و سپس پولیش کاری و جلا می دهند تا به شکل دلخواه درآید. اندازهٔ ویفرها برای کاربرد فتوولتاییک میان ۱۰۰ تا ۲۰۰ میلی متر ( مربعی ) و ضخامت آن ها ۲۰۰ تا ۳۰۰ میکرومتر است. البته قرار است که در آینده ضخامت ۱۶۰ میکرومتر، ضخامت استاندارد تعیین گردد. در الکترونیک از ویفرهایی به قطر ۱۰۰ تا ۳۰۰ میلی متر بهره برده می شود. بزرگ ترین ویفر ساخته شده تاکنون ۴۵۰ میلی متر قطر داشته که هنوز به خط تولید نرسیده است.
سطح ویفرها را با کمک اسیدهای ضعیف پاکسازی می کنند تا ذرات ناخواسته را از سطح آن بزدایند یا آسیب های پدید آمده در سطح آن در هنگام فرایند بُرش را بهبود بخشند. هنگامی که قرار باشد این ویفرها در سول های خورشیدی بکار روند، بر روی ویفرها، نوعی طرح یا الگوی زبری تکراری ( به انگلیسی: texture ) ایجاد می کنند تا بازدهی آن ها بالا رود. شیشه فسفوسیلیکات شکل گرفته در لبه ها ( که معمولاً PSG نامیده می شود ) ، با استفاده از فرایند زدایش ( که نوعی فرایند لایه برداری به کمک مواد شیمیایی است ) حذف می شود.
معنی کلمه ویفر در ویکی واژه
جملاتی از کاربرد کلمه ویفر
یک عدد اول ویفریچ است و این اعداد کمیاب هستند! فقط دو عدد شناخته شده‌اند که زیر ۴٬۰۰۰٬۰۰۰٬۰۰۰٬۰۰۰ هستند و هیچ‌کدام از این مربع‌ها بر یک عدد مرسن بخش پذیر نیستند.
ارنست نویفرت در وایمار از سال ۱۹۲۶ پس از فارغ‌التحصیل شدن از باوهاوس به جمع‌آوری استانداردهای معماری و ساختمان‌ها پرداخت. وی اولین کتاب راهنمایش را در سال ۱۹۳۶ چاپ کرد که به ۱۷ زبان ترجمه شد و نسخهٔ آلمانی آن ۳۹ بار ویرایش یافت اولین نسخهٔ انگلیسی آن در سال ۱۹۷۰ در آمریکا چاپ شد و با کتاب گرافیک استاندارد معماری رقابت می‌کرد و تا سال ۱۹۸۶ ویراستار آن خود ارنست نویفرت بود
در ریزساختات، اکسایش حرارتی راهی برای تولید یک لایه نازک اکسید (معمولاً سیلیسیم دی‌اکسید) بر روی سطح ویفر است. این روش یک ماده اکسیدکننده را مجبور می‌کند تا در دمای بالا به ویفر نفوذ کرده و با آن واکنش نشان‌دهد. میزان رشد اکسید اغلب توسط مدل دیل-گروو پیش‌بینی می‌شود. اکسایش حرارتی ممکن است به مواد مختلف اعمال شود، اما بیشتر آن‌ها شامل اکسایش زیرلایه‌های سیلیسیم برای تولید سیلیسیم دی‌اکسید است.
اکسایش حرارتی سیلیکون مصرف شده از زیرلایه و اکسیژن تأمین شده از محیط را در خود جای داده‌است؛ بنابراین، هم در ویفر و هم خارج از آن رشد می‌کند. برای هر ضخامت واحد سیلیکون مصرفی، ضخامت واحد ۲٫۱۷ اکسید ظاهر می‌شود. اگر سطح سیلیکون بدون روکش اکسیده شود، ۴۶٪ ضخامت اکسید در زیر سطح اصلی و ۵۴٪ بالاتر از آن قرار خواهد گرفت.